事件：美国商务部再增四项技术出口管制，中国半导体发展再遇阻碍8 月13 日，美国商务部工业龙头股和安全局（BIS）发布公告，对四项“新兴和基础技术”纳入新的出口管制。包括两项被称做“第四代半导体材料”的氧化镓和金刚石；开发GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路概念股必需的ECAD（电子计算机辅助设计）软件龙头股；生产开发燃气涡轮发动机部件或系统所需的压力增益燃烧（PGC）技术。对于第四代半导体和PGC 技术的出口管制将自8 月15 日生效，对ECAD 的出口管制将在8 月15 日起60 天后生效。根据我们对条文的理解，ECAD 禁令长期可能会影响中国高性能芯片企业的产品持续迭代演进。

 

    强化EDA 出口管制可能会限制中国高性能计算芯片研发半导体的生产涉及（1）设计，（2）晶圆制造概念股，（3）半导体设备，（4）设计工具（EDA），（5）半导体设备和材料等多个环节。本次管制政策导入前，美国商务部已经限制向中国出口10nm 以下先进工艺生产设备，这导致在中国大陆生产7nm 以下先进工艺芯片非常困难。但不限制中国芯片设计企业（除海思等在实体清单上企业以外），使用美国EDA 软件，在中国以外的代工厂（例如三星）生产先进工艺芯片。本禁令生效以后，中国芯片设计企业在没有美国商务部授权情况下，也很难在中国大陆以外代工企业进行3nm 以下先进工艺节点流片。这对中国企业未来发展高性能计算芯片可能造成一定影响。

 

    强化“第四代”半导体材料管制，或延迟我国产业化进程08 年《瓦森纳协定》规定，对中国禁运半绝缘型碳化硅衬底材料，制约中国国防和新一代信息通信的发展，但未限制导电型碳化硅衬底材料。目前天岳先进在全球半绝缘型碳化硅衬底处领先地位，Wolfspeed 在全球导电型衬底占领先市占率。此外国外限制应用于军事领域的高性能氮化镓器件对华出售。本次美国商业管制清单新增第四代半导体材料，与其他半导体材料相较，氧化稼具备低损耗优势，但由于氧化稼衬底需在高温含氧环境生长，且需用贵金属铱做坩埚，而铱单价贵且依赖进口，我国氧化稼不具备产业化条件，仍处早期。而金刚石未实现大尺寸突破，因此四代半大规模落地尚需时日。

 

    美国出口管制再度加码，半导体产业链自主可控迫在眉睫美国此次新增出口管制意概念股在阻止中国企业向先进制程设计概念股领域演进，以及在新兴半导体材料领域的商业化进展。当前，中国在氧化镓、金刚石等领域与海外存在差距，但科技部已将氧化镓列入“十四五重点研发计划”，旨在加速追赶差距。国内EDA 公司与海外龙头差距较大，市场份额较小，我们认为在地缘政治等因素的影响下，独立自主的工业软件进程有望加速发展。

 

    EDA 作为研发设计类工业软件，技术壁垒较高，我们认为已实现点工具概念股突破的国产EDA 厂商有望受益，建议关注。

 

    风险提示：美国加大出口管制；半导体行业进入下行周期的风险

 

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