事件：美國商務部再增四項技術出口管制，中國半導體發展再遇阻礙8 月13 日，美國商務部工業龍頭股和安全局（BIS）發布公告，對四項“新興和基礎技術”納入新的出口管制。包括兩項被稱做“第四代半導體材料”的氧化鎵和金剛石；開發GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路概念股必需的ECAD（電子計算機輔助設計）軟件龍頭股；生產開發燃氣渦輪發動機部件或系統所需的壓力增益燃燒（PGC）技術。對于第四代半導體和PGC 技術的出口管制將自8 月15 日生效，對ECAD 的出口管制將在8 月15 日起60 天后生效。根據我們對條文的理解，ECAD 禁令長期可能會影響中國高性能芯片企業的產品持續迭代演進。

 

    強化EDA 出口管制可能會限制中國高性能計算芯片研發半導體的生產涉及（1）設計，（2）晶圓制造概念股，（3）半導體設備，（4）設計工具（EDA），（5）半導體設備和材料等多個環節。本次管制政策導入前，美國商務部已經限制向中國出口10nm 以下先進工藝生產設備，這導致在中國大陸生產7nm 以下先進工藝芯片非常困難。但不限制中國芯片設計企業（除海思等在實體清單上企業以外），使用美國EDA 軟件，在中國以外的代工廠（例如三星）生產先進工藝芯片。本禁令生效以后，中國芯片設計企業在沒有美國商務部授權情況下，也很難在中國大陸以外代工企業進行3nm 以下先進工藝節點流片。這對中國企業未來發展高性能計算芯片可能造成一定影響。

 

    強化“第四代”半導體材料管制，或延遲我國產業化進程08 年《瓦森納協定》規定，對中國禁運半絕緣型碳化硅襯底材料，制約中國國防和新一代信息通信的發展，但未限制導電型碳化硅襯底材料。目前天岳先進在全球半絕緣型碳化硅襯底處領先地位，Wolfspeed 在全球導電型襯底占領先市占率。此外國外限制應用于軍事領域的高性能氮化鎵器件對華出售。本次美國商業管制清單新增第四代半導體材料，與其他半導體材料相較，氧化稼具備低損耗優勢，但由于氧化稼襯底需在高溫含氧環境生長，且需用貴金屬銥做坩堝，而銥單價貴且依賴進口，我國氧化稼不具備產業化條件，仍處早期。而金剛石未實現大尺寸突破，因此四代半大規模落地尚需時日。

 

    美國出口管制再度加碼，半導體產業鏈自主可控迫在眉睫美國此次新增出口管制意概念股在阻止中國企業向先進制程設計概念股領域演進，以及在新興半導體材料領域的商業化進展。當前，中國在氧化鎵、金剛石等領域與海外存在差距，但科技部已將氧化鎵列入“十四五重點研發計劃”，旨在加速追趕差距。國內EDA 公司與海外龍頭差距較大，市場份額較小，我們認為在地緣政治等因素的影響下，獨立自主的工業軟件進程有望加速發展。

 

    EDA 作為研發設計類工業軟件，技術壁壘較高，我們認為已實現點工具概念股突破的國產EDA 廠商有望受益，建議關注。

 

    風險提示：美國加大出口管制；半導體行業進入下行周期的風險

 

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