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传闻:天富热电(600509)中国知识产权网专利号:200910077648.8,本发明公开了一种新型半导体薄膜材料石墨烯在碳化硅(SiC)基底上外延生长方法,权益人为天富热电旗下公司天科合达。

http://www.dapingbao.com  2013-03-15  传闻来源:互联网,官方媒体  可信度:%
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传闻:天富热电(600509)中国知识产权网专利号:200910077648.8,本发明公开了一种新型半导体薄膜材料石墨烯在碳化硅(SiC)基底上外延生长方法,权益人为天富热电旗下公司天科合达。

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求证依据来源:互联网,官方媒体  求证时间:2013-03-15
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